中国证券网讯(记者 陈秋芝)近期DRAM存储器市场维持供不应求状况,价格持续上涨。全球DRAM价格连续七季上扬,是历来涨势最久的一次,且据韩国业者向中国台湾OEM大厂透露,这波涨势将持续至明年第二季度。
据海外媒体报道,全球DRAM制造龙头三星计划明年一季度价格调涨3%至5%,SK海力士也将调涨约5%。另有中国台湾OEM大厂从上游厂商处获悉,明年二季度价格恐将续涨5%以上,需要提前备货。四季度是传统DRAM市场旺季,在供不应求的情况下,价格出现上涨。其中标准型DRAM模组合约价较上季涨7%,4GB DDR4模组均价达30.5美元创下新高。
业界人士分析,由于苹果iPhone X零组件拉货动能延续到明年初,加上三星、华为、OPPO等手机厂商将在明年初的MWC大会上推出新款手机,导致DRAM需求维持高位。另外,来自人工智能、云端服务器、物联网等需求齐发,DRAM市场需求大增。供给方面,主要芯片厂集中发展3D储存型闪存(NAND Flash),DRAM产能受到压缩,导致市场供需严重失衡,价格持续上涨。
此外,半导体市场高景气延续,有望支撑DRAM合约价持续走高。国际半导体产业协会(SEMI)最新预估,今年全球半导体设备市场可望达到559亿美元规模,将改写历史新高纪录,明年有望续创新高。其中,中国大陆市场明年有望增长达49.3%,将是成长最大的市场。
公司方面,紫光国芯子公司从事DRAM存储器芯片的设计,正在进行“高性能第四代DRAM存储器芯片产品”的研发;太极实业为SK海力士的DRAM产品提供后工序服务;深科技旗下的沛顿科技是领先的DRAM封测企业;华天科技作为武汉新芯的战略合作伙伴,有望受益于存储器基地配套需求。
责任编辑:黄仙妹
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